Igbt транзисторы

igbt транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) – главный элемент ячейки современных инверторов.

Особенности транзисторов igbt

Ячейка преобразователя частоты состоит из диодного или тиристорного выпрямителя – конденсатора, необходимого для сглаживания пульсаций выпрямленного напряжения и приближения к идеальной форме постоянного тока, и силового IGBT транзистора – выключателя. Он может переключаться очень быстро – до 33 000 раз в секунду (33 кГц), и при этом пропускать токи до 1000 ампер.

Плата управления и контроля формирует импульсы управления инвертором, принимает внешние команды, выдает сигналы обратной связи, следит за температурой и режимами работы всех силовых элементов.

Низковольтные и высоковольтные igbt транзисторы:

До недавнего времени во всех высоковольтных преобразователях частоты использовались только низковольтные igbt транзисторы (660В-690В). В 6кВ преобразователях используется 5 ячеек по 690В в каждой фазе, соединенных последовательно, а в 10кВ преобразователях - по 8 ячеек в фазе. Прогресс не стоит на месте, и все больше производителей переходят на высоковольтные igbt транзисторы, позволяющие значительно уменьшить габариты преобразователя и отказаться от фазосдвигающих трансформаторов.

Преимущества igbt транзисторов:

Мощные igbt транзисторы позволяют строить преобразователи частоты для самых крупных приводов, таких как привода питательных насосов, тягодутьевых и размольных машин, компрессоров. Российская компания ЧЭАЗ занята разработкой собственных igbt транзисторов, внедрением на рынок отечественных igbt транзисторов в эпоху неспокойных международных отношений. В случае новых санкций это позволит сохранить выпуск преобразователей частоты и оперативно ремонтировать существующие приводы, а также, однозначно, всегда будет востребовано в военной отрасли.